குறைந்த வெப்பநிலை நிலை பேரியம் வளர்சிதை மாற்றம் (β-BaB₂O₄, சுருக்கமாக BBO) படிகமானது முத்தரப்பு படிக அமைப்பைச் சேர்ந்தது, 3m புள்ளி குழு. 1949 இல், லெவின்மற்றும் பலர். குறைந்த வெப்பநிலை நிலை பேரியம் மெட்டாபரேட் BaB கண்டுபிடிக்கப்பட்டது₂O₄ கலவை. 1968 இல், பிரிக்ஸ்னர்மற்றும் பலர். BaCl பயன்படுத்தப்பட்டது₂ வெளிப்படையான ஊசி போன்ற ஒற்றை படிகத்தைப் பெற ஃப்ளக்ஸ். 1969 இல், ஹப்னர் Li ஐப் பயன்படுத்தினார்₂O என்பது 0.5mm×0.5mm×0.5mm வளர ஃப்ளக்ஸ் ஆகவும், அடர்த்தி, செல் அளவுருக்கள் மற்றும் விண்வெளிக் குழுவின் அடிப்படைத் தரவை அளவிடுகிறது. 1982 க்குப் பிறகு, புஜியன் இன்ஸ்டிடியூட் ஆஃப் மேட்டர் ஸ்ட்ரக்ச்சர், சீன அறிவியல் அகாடமி, உருகிய உப்பு விதை-படிக முறையைப் பயன்படுத்தி பெரிய ஒற்றைப் படிகத்தை ஃப்ளக்ஸ் முறையில் வளர்க்கிறது, மேலும் BBO படிகமானது ஒரு சிறந்த புற ஊதா அதிர்வெண்-இரட்டிப்புப் பொருள் என்பதைக் கண்டறிந்தது. எலக்ட்ரோ-ஆப்டிக் க்யூ-ஸ்விட்ச்சிங் பயன்பாட்டிற்கு, பிபிஓ படிகமானது குறைந்த எலக்ட்ரோ-ஆப்டிக் குணகத்தின் குறைபாடுகளைக் கொண்டுள்ளது, இது அதிக அரை-அலை மின்னழுத்தத்திற்கு வழிவகுக்கிறது, ஆனால் இது மிக உயர்ந்த லேசர் சேத வரம்புகளின் சிறந்த நன்மையைக் கொண்டுள்ளது.

புஜியன் இன்ஸ்டிடியூட் ஆஃப் மேட்டர் ஸ்ட்ரக்ச்சர், சீன அறிவியல் அகாடமி BBO படிகங்களின் வளர்ச்சியில் ஒரு தொடர் வேலைகளை மேற்கொண்டுள்ளது. 1985 ஆம் ஆண்டில், φ67mm×14mm அளவுள்ள ஒற்றைப் படிகம் வளர்க்கப்பட்டது. படிக அளவு 1986 இல் φ76mm×15mm மற்றும் 1988 இல் φ120mm×23mm ஐ எட்டியது.

எல்லாவற்றிற்கும் மேலாக படிகங்களின் வளர்ச்சியானது உருகிய-உப்பு விதை-படிக முறையைப் பின்பற்றுகிறது (மேலும்-விதை-படிக முறை, ஃப்ளக்ஸ்-லிஃப்டிங் முறை போன்றவை. இல் படிக வளர்ச்சி விகிதம்c-அச்சு திசை மெதுவாக உள்ளது, மேலும் உயர்தர நீண்ட படிகத்தைப் பெறுவது கடினம். மேலும், BBO படிகத்தின் எலக்ட்ரோ-ஆப்டிக் குணகம் ஒப்பீட்டளவில் சிறியது, மேலும் குறுகிய படிகமானது அதிக வேலை மின்னழுத்தம் தேவைப்படுகிறது. 1995 இல், குட்னோமற்றும் பலர். Nd:YLF லேசரின் EO Q-பண்பேற்றத்திற்கான எலக்ட்ரோ-ஆப்டிக் பொருளாக BBO பயன்படுத்தப்பட்டது. இந்த BBO படிகத்தின் அளவு 3mm×3mm×15mm(x, y, z), மற்றும் குறுக்கு பண்பேற்றம் ஏற்றுக்கொள்ளப்பட்டது. இந்த BBO இன் நீளம்-உயரம் விகிதம் 5:1 ஐ எட்டினாலும், கால்-அலை மின்னழுத்தம் இன்னும் 4.6 kV வரை உள்ளது, இது LN படிகத்தின் EO Q-பண்பேற்றத்தின் 5 மடங்கு அதிகமாகும்.

இயக்க மின்னழுத்தத்தைக் குறைப்பதற்காக, BBO EO Q-சுவிட்ச் இரண்டு அல்லது மூன்று படிகங்களை ஒன்றாகப் பயன்படுத்துகிறது, இது செருகும் இழப்பு மற்றும் செலவை அதிகரிக்கிறது. நிக்கல்மற்றும் பலர். BBO படிகத்தின் அரை-அலை மின்னழுத்தத்தை பல முறை படிகத்தின் வழியாக ஒளியை அனுப்புவதன் மூலம் குறைக்கப்பட்டது. படத்தில் காட்டப்பட்டுள்ளபடி, லேசர் கற்றை படிகத்தின் வழியாக நான்கு முறை செல்கிறது, மேலும் 45 ° இல் வைக்கப்பட்டுள்ள உயர் பிரதிபலிப்பு கண்ணாடியால் ஏற்படும் கட்ட தாமதம் ஆப்டிகல் பாதையில் வைக்கப்பட்டுள்ள அலை-தகடு மூலம் ஈடுசெய்யப்பட்டது. இந்த வழியில், இந்த BBO Q-சுவிட்சின் அரை-அலை மின்னழுத்தம் 3.6 kV வரை குறைவாக இருக்கலாம்.

படம் 1. குறைந்த அரை-அலை மின்னழுத்தத்துடன் BBO EO Q-பண்பேற்றம் - WISOPTIC

2011 இல் பெர்லோவ் மற்றும் பலர். 50 மிமீ இன் நீளத்துடன் BBO படிகத்தை வளர்க்க NaF ஐ ஃப்ளக்ஸ் ஆகப் பயன்படுத்தியதுc-அச்சு திசை, மற்றும் 5mm×5mm×40mm அளவு கொண்ட BBO EO சாதனம் மற்றும் 1×10 ஐ விட சிறந்த ஆப்டிகல் சீரான தன்மையுடன் பெறப்பட்டது⁻⁶ செ.மீ⁻¹, இது EO Q-ஸ்விட்ச் பயன்பாடுகளின் தேவைகளைப் பூர்த்தி செய்கிறது. இருப்பினும், இந்த முறையின் வளர்ச்சி சுழற்சி 2 மாதங்களுக்கும் மேலாக உள்ளது, மேலும் செலவு இன்னும் அதிகமாக உள்ளது.

தற்போது, ​​BBO படிகத்தின் குறைந்த செயல்திறன் கொண்ட EO குணகம் மற்றும் பெரிய அளவு மற்றும் உயர் தரத்துடன் BBO வளர்ப்பதில் உள்ள சிரமம் ஆகியவை BBO இன் EO Q-ஸ்விட்ச்சிங் பயன்பாட்டை இன்னும் கட்டுப்படுத்துகின்றன. இருப்பினும், அதிக லேசர் சேதம் வரம்பு மற்றும் அதிக ரிப்பீடிஷன் அதிர்வெண்ணில் வேலை செய்யும் திறன் காரணமாக, BBO படிகமானது முக்கியமான மதிப்பு மற்றும் நம்பிக்கைக்குரிய எதிர்காலம் கொண்ட ஒரு வகையான EO Q-பண்பேற்றம் பொருளாகும்.

படம் 2. குறைந்த அரை-அலை மின்னழுத்தத்துடன் கூடிய BBO EO Q-சுவிட்ச் - WISOPTIC டெக்னாலஜி கோ., லிமிடெட் தயாரித்தது.